Power-N-MOSFET-Transistor mit hoher Leistung und niedrigem Innenwiderstand
Strom (Kollektor-Emitter bzw. Drain-Source): max. 12A Spannung: max. 50V Leistung: max. 40W On-Widerstand (C-E bzw. D-S): 0,12 Ohm
In folgenden Schaltungen wird dieses Bauteil eingesetzt: